Главная » 2010 » Февраль » 1 » Intel и Micron анонсируют 25-нанометровую флэш-память
18.04.11
Intel и Micron анонсируют 25-нанометровую флэш-память
Компании Intel и Micron Technology представят общественности первые в мире чипы флэш-памяти NAND, произведенные по 25-нанометровому технологическому процессу. Новая разработка позволит удвоить емкость модулей памяти портативных устройств, таких как смартфоны и медиа-плееры, а также вдвое увеличить емкость твердотельных дисков (SSD) без увеличения их размеров.
Производством новых компонентов занимается учрежденное Intel и Micron совместное предприятие под названием IM Flash Technologies (IMFT). На данный момент опытные образцы чипов уже отправлены производителям оборудования. Компания планирует приступить к массовому производству модулей памяти емкостью в 8 гигабайт уже в следующем квартале.
Для изготовления 8-гигабайтных модулей памяти, размер которых составляет 0.35 х 0.74 дюйма, используется усовершенствованный метод литографии. Этот процесс предполагает создание в кремниевой подложке ячеек и транзисторов для хранения битов данных. От размера ячеек напрямую зависит плотность их размещения на отдельном чипе NAND и, соответственно, емкость модуля памяти. Модуль емкостью в 8 гигабайт состоит из множества 64-гигабитных микросхем NAND.
Переход на новый технологический процесс позволит производителям коммерческих продуктов вдвое сократить количество чипов памяти. К примеру, SSD-диск, емкостью в 256 гигабайт, теперь будет собираться из тридцати двух чипов NAND, а не из шестидесяти четырех. А для 32-гигабайтного смартфона потребуется всего четыре таких микросхемы. Таким образом, предлагаемая производственная технология гарантирует сокращение затрат на производство мобильных устройств.
25-нанометровая флэш-память использует интерфейс Open NAND Flash Interface (ONFI) 2.2, поддерживающий скорость передачи данных до 200 мегабайт в секунду. Производитель утверждает, что будущие продукты будут работать с новой спецификацией ONFI 3.0, которая позволит вдвое увеличить этот показатель.
По долговечности новые компоненты сравнимы с чипами, изготавливаемыми по 34-наноментровой технологии, и предусматривают до 5 000 циклов записи и стирания данных.
Компании Intel и Micron Technology представят общественности первые в мире чипы флэш-памяти NAND, произведенные по 25-нанометровому технологическому процессу. Новая разработка позволит удвоить емкость модулей памяти портативных устройств, таких как смартфоны и медиа-плееры, а также вдвое увеличить емкость твердотельных дисков (SSD) без увеличения их размеров.
Производством новых компонентов занимается учрежденное Intel и Micron совместное предприятие под названием IM Flash Technologies (IMFT). На данный момент опытные образцы чипов уже отправлены производителям оборудования. Компания планирует приступить к массовому производству модулей памяти емкостью в 8 гигабайт уже в следующем квартале.
Для изготовления 8-гигабайтных модулей памяти, размер которых составляет 0.35 х 0.74 дюйма, используется усовершенствованный метод литографии. Этот процесс предполагает создание в кремниевой подложке ячеек и транзисторов для хранения битов данных. От размера ячеек напрямую зависит плотность их размещения на отдельном чипе NAND и, соответственно, емкость модуля памяти. Модуль емкостью в 8 гигабайт состоит из множества 64-гигабитных микросхем NAND.
Переход на новый технологический процесс позволит производителям коммерческих продуктов вдвое сократить количество чипов памяти. К примеру, SSD-диск, емкостью в 256 гигабайт, теперь будет собираться из тридцати двух чипов NAND, а не из шестидесяти четырех. А для 32-гигабайтного смартфона потребуется всего четыре таких микросхемы. Таким образом, предлагаемая производственная технология гарантирует сокращение затрат на производство мобильных устройств.
25-нанометровая флэш-память использует интерфейс Open NAND Flash Interface (ONFI) 2.2, поддерживающий скорость передачи данных до 200 мегабайт в секунду. Производитель утверждает, что будущие продукты будут работать с новой спецификацией ONFI 3.0, которая позволит вдвое увеличить этот показатель.
По долговечности новые компоненты сравнимы с чипами, изготавливаемыми по 34-наноментровой технологии, и предусматривают до 5 000 циклов записи и стирания данных.
